磁控濺射（shè）具有以下兩大（dà）優點：提高等離子密度，從而提高濺射速度；減少轟擊零件的電（diàn）子數目，因而降低了基材因電子轟擊的升溫。

因此，該技術（shù）在薄膜技術中占有主導地位。磁控濺射陰極的最大缺（quē）點：使用平麵靶材，靶材（cái）在跑道區形成濺射溝道，這溝道一旦貫穿靶材，則整塊靶材（cái）即（jí）報廢，因而靶材的利用率隻有20-30%。

不（bú）過，目前為了避免這個（gè）缺點，很多靶材采用圓柱靶材形式，靶材利用率得以大（dà）幅度提高。