直流磁控濺射： 直流磁控濺射是在直（zhí）流二級濺射的基礎上，在靶材後麵安（ān）防磁鋼（gāng）。可以（yǐ）用來濺射沉（chén）積導電膜，而且沉積速度快（kuài）；

但靶材若為絕緣體的話，將（jiāng）會（huì）迅速造成靶材表麵電荷積累，從而（ér）導致（zhì）濺射無法進行。所以對於純金屬靶材的濺（jiàn）射（shè），均采用直流磁控濺（jiàn）射，如（rú）濺射SUS,Ag,Cr,Cu等。 

中頻磁控濺射， 常用來進行反應濺射，如金屬氧化物、碳化物等，將少許反應性氣體N2,O2,C2H2等同惰性氣體Ar2一（yī）起輸入（rù）到真空腔中，使反應氣體與靶材原子一起於基材上沉積。

對於一些不易找到的塊材（cái）料製成靶材的鍍膜或陶瓷靶材在濺鍍後，薄膜成分易偏離原靶材成分，也可通過反應沉積來獲（huò）得改善。