偏壓（Bias)是指在鍍膜過程中施加在（zài）基體上的負電壓。偏壓（yā）電（diàn）源的正極接到真空室上，同時真空室接地，偏壓的負（fù）極接（jiē）到工件上。由於（yú）大地的電（diàn）壓一般認為是（shì）零（líng）電位，所以工件上的電壓習慣說負偏壓，簡稱（chēng）偏壓。

負偏壓（yā）的作用（yòng）
提供粒（lì）子能量；
對於基片的加熱效應；
清除基片上吸附的氣體和油汙（wū）等，有利於提高膜層結合強度；
活化基體表麵；
對電弧（hú）離子鍍（Arc Ion Plating)中的大顆粒有淨化作用；

偏壓的分類
根據波形（xíng）可分為：
直流偏壓
直流（liú）脈衝偏壓
直流疊加脈衝偏壓
雙極性脈衝偏壓

直流偏壓和脈衝（chōng）偏壓的比較

傳（chuán）統的電弧離子鍍是在基片台上施（shī）加（jiā）直流負偏壓控製離子轟擊能量, 這種沉積工藝存在以下缺點:
        基體（tǐ）溫升高, 不利於在回火溫度（dù）低的基體上沉積硬質膜。
        高（gāo）能離子轟擊造成嚴重的濺（jiàn）射（shè）, 不能簡單通（tōng）過提（tí）高離子（zǐ）轟擊能（néng）量合成高反應閾能的硬質薄膜。
直流偏壓電（diàn）弧離子鍍工藝中（zhōng）,為了抑製因離子對基體表麵連續轟擊而導致的基體溫度過高,主要采取減少沉積功率、縮短（duǎn）沉積時間、采用間歇沉積方式等措施來降低沉積溫（wēn）度，這（zhè）些措施可以概括地稱為能量控製法'這種方法雖然可以降低沉積溫度,但（dàn）也（yě）使薄膜的某些性能下降,同時還降低了生產效率和薄膜質量的穩定性，因（yīn）此,難以推廣應用。
脈衝偏壓電弧離子鍍工藝中（zhōng）,由於離子是以非連續的脈衝（chōng）方式轟擊基體表麵,所以通過調（diào）節（jiē）脈衝偏壓的（de）占空比,可改變基體內部與表麵之間的溫度梯度,進而改變（biàn）基體內部與表麵之間熱的均（jun1）衡補償效果（guǒ）,達（dá）到調控沉（chén）積溫度的目的。這樣就可以把施加偏壓的脈衝高度與工件溫度獨立分開(互不影響或影響很小)調節,利用（yòng）高壓脈（mò）衝來（lái）獲得高能離子的轟擊效應以改善薄（báo）膜的組織和性能,通過降低（dī）占空比來減小離子轟擊的（de）總加熱效（xiào）應以降低沉積溫度（dù）。

偏壓對膜層的影響

偏壓對膜層的影響機製是很複雜的，下麵列出了一些主要影響，可以根據（jù）自己的使用工藝，觀察總結，就可以很快摸清偏壓對膜（mó）層的影響規律（lǜ）。
        膜層結構、結晶（jīng）構造（zào）取向、組織結構
        沉積速率（lǜ）
        大顆粒淨化
        膜層硬度（dù）
        膜層致密度
        表麵形貌（mào）
        內應力

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